产品EMC辐射超标原因分析

典型案例分析

1. 机柜接地线带来的辐射。

B产品进行辐射发射测试时，在不带业务线只带DC电源线和地线条件下发现30M～300MHz低频段内干扰很大，超出B级限值约20dBuV/m。

经查，B产品在的BGND和PGND在机内汇接，通过较长的导线AG与机柜屏蔽体相连接，参见下图所示。

因为AG线较长，上面存在比较大的高频阻抗，可有效感应到机内各种干扰信号。机柜壳体与接地点A存在高频电压VAG，接地线AG形成发射天线，造成整机辐射发射严重超标。

将接地线改为在机外，PGND与机柜直接短接，使AG近似为0，即VAG＝0，从而消除接地线与机柜壳体的天线效应。改进后，重新测试，从下图可看出，低端辐射大幅度下降，整机辐射发射在Class B限制线下且有6dB余量。

这个案例告诉我们：屏蔽体内部的地线一定要短，保证内部干扰不耦合到接地线上。对于屏蔽机柜，接地点要选择在机柜的外表面，对于非屏蔽机柜，接地点尽量选择在机柜外表面，如果一定要选择内表面，内部走线一定要短。

 2. 电缆连接器搭接不良导致辐射超标。

某产品辐射发射测试超标，经过定位，当设备引出E1线后，辐射发射测试结果就超标。问题确认为E1端口问题。

将E1电缆与接口连接器拆开后发现：E1电缆屏蔽编织层只通过几条金属丝焊接到DB68连接器金属外壳上。在高频情况下，几条金属丝上面必定存在着较大的交流阻抗，也就是说电缆的屏蔽层和设备的屏蔽机壳之间不能形成电气连续的屏蔽体。机箱内表面的干扰可以从线缆屏蔽层和机箱之间形成的缝隙中泄漏出来，耦合到电缆屏蔽层上，形成对外辐射。

将E1电缆屏蔽层与DB68连接器金属壳用铜箔包好，并在铜箔与屏蔽层、铜箔与铜箔交接处进行焊接，使铜泊与连接器良好搭接。处理后，测试结果完全能达到限值要求，并且还满足余量。

处理后的E1电缆连接器和屏蔽层形成一个整体